A MEMÓRIA RAM KINGSTON É PROJETADA E FABRICADA DE FORMA RIGOROSA, GARANTINDO COMPATIBILIDADE E CONFIABILIDADE EM SUA PERFORMANCE. COM TAXA DE FREQUÊNCIA DE ATÉ 2666 MHZ, ESTÁ É A MEMÓRIA RAM TEM ÓTIMO CUSTO BENEFÍCIO PARA USUÁRIOS QUE BUSCAM POR RESULTADO E PREÇO ACESSÍVEL. A SUA ATUALIZAÇÃO EM DDR4 PROPORCIONA A DIMINUIÇÃO DO USO DA ENERGIA, COM ISSO, OS CIRCUITOS E COMPONENTES NÃO ESQUENTAM E O DISSIPADOR REGULA MELHOR A TEMPERATURA,PODENDO OCORRER UMA TEMPERATURA CORRETA DE OPERAÇÃO (0OC A +85OC) E ARMAZENAGEM DE (-55OC A +100OC), COM ISSO É PROPORCIONADO PERFORMANCE A MEMÓRIA RAM E MENOS STRESS PARA OS HARDWARES QUE ESTÃO ENVOLVIDOS, TORNANDO TODO O PROCESSO MAIS SILENCIOSO. CARACTERÍSTICAS:
- MARCA: KINGSTON
- MODELO: KVR26N19S6/4
ESPECIFICAÇÕES:
- FREQUÊNCIA DE OPERAÇÃO: 2666MHZ- CL (IDD): 19 CICLOS- ROW CYCLE TIME (TRCMIN): 45,75NS (MIN.)- REFRESH TO ACTIVE / REFRESH COMMAND TIME (TRFCMIN) 350NS (MIN.)- ROW ACTIVE TIME (TRASMIN) ? 32NS (MIN.)- POTÊNCIA MÁXIMA DE OPERAÇÃO ? TBD W*- CLASSIFICAÇÃO UL 94 V - 0- TEMPERATURA DE OPERAÇÃO ? 0OC A +85OC- TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO - -55OC A + 100OC*A POTÊNCIA PODE VARIAR DEPENDENDO DO USO DO SDRAM CARACTERÍSTICAS / BENEFÍCIOS:- TENSÃO DE OPERAÇÃO: VDD = 1,2V TÍPICO- VDDQ = 1,2 V TÍPICO- VPP = 2.5V TÍPICO- VDDSPD = 2,2 V A 3,6 V- TERMINAÇÃO NOMINAL E DINÂMICA NO DIE (ODT) PARA SINAIS DE DADOS, LUZ E MÁSCARA- AUTO-ATUALIZAÇÃO DE BAIXA POTÊNCIA (LPASR)- INVERSÃO DE BARRAMENTO DE DADOS (DBI) PARA BARRAMENTO DE DADOS- GERAÇÃO E CALIBRAÇÃO VREFDQ NO DIE- SINGLE RANK- EEPROM DE DETECÇÃO DE PRESENÇA SERIAL (SPD) ON-BOARD I2- 8 BANCOS INTERNOS; 2 GRUPOS DE 4 BANCOS CADA- BURST CHOP FIXO (BC) DE 4 E COMPRIMENTO DE BURST (BL) DE 8 ATRAVÉS DO CONJUNTO REGISTRADORES DE MODO (MRS)- BC4 OU BL8 SELECIONÁVEIS EM TEMPO REAL (OTF)- TOPOLOGIA FLY-BY- COMANDO DE CONTROLE E BARRAMENTO DE ENDEREÇOS COM TERMINAÇÃO- PCB: ALTURA 1,18? (30,00 MM)- EM CONFORMIDADE COM ROHS E SEM HALOGÊNIOS
CONTEÚDO DA EMBALAGEM:
- MEMÓRIA KINGSTON 4GB
- MARCA: KINGSTON
- MODELO: KVR26N19S6/4
ESPECIFICAÇÕES:
- FREQUÊNCIA DE OPERAÇÃO: 2666MHZ- CL (IDD): 19 CICLOS- ROW CYCLE TIME (TRCMIN): 45,75NS (MIN.)- REFRESH TO ACTIVE / REFRESH COMMAND TIME (TRFCMIN) 350NS (MIN.)- ROW ACTIVE TIME (TRASMIN) ? 32NS (MIN.)- POTÊNCIA MÁXIMA DE OPERAÇÃO ? TBD W*- CLASSIFICAÇÃO UL 94 V - 0- TEMPERATURA DE OPERAÇÃO ? 0OC A +85OC- TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO - -55OC A + 100OC*A POTÊNCIA PODE VARIAR DEPENDENDO DO USO DO SDRAM CARACTERÍSTICAS / BENEFÍCIOS:- TENSÃO DE OPERAÇÃO: VDD = 1,2V TÍPICO- VDDQ = 1,2 V TÍPICO- VPP = 2.5V TÍPICO- VDDSPD = 2,2 V A 3,6 V- TERMINAÇÃO NOMINAL E DINÂMICA NO DIE (ODT) PARA SINAIS DE DADOS, LUZ E MÁSCARA- AUTO-ATUALIZAÇÃO DE BAIXA POTÊNCIA (LPASR)- INVERSÃO DE BARRAMENTO DE DADOS (DBI) PARA BARRAMENTO DE DADOS- GERAÇÃO E CALIBRAÇÃO VREFDQ NO DIE- SINGLE RANK- EEPROM DE DETECÇÃO DE PRESENÇA SERIAL (SPD) ON-BOARD I2- 8 BANCOS INTERNOS; 2 GRUPOS DE 4 BANCOS CADA- BURST CHOP FIXO (BC) DE 4 E COMPRIMENTO DE BURST (BL) DE 8 ATRAVÉS DO CONJUNTO REGISTRADORES DE MODO (MRS)- BC4 OU BL8 SELECIONÁVEIS EM TEMPO REAL (OTF)- TOPOLOGIA FLY-BY- COMANDO DE CONTROLE E BARRAMENTO DE ENDEREÇOS COM TERMINAÇÃO- PCB: ALTURA 1,18? (30,00 MM)- EM CONFORMIDADE COM ROHS E SEM HALOGÊNIOS
CONTEÚDO DA EMBALAGEM:
- MEMÓRIA KINGSTON 4GB